Samsung начинает производство 2-х Гигабитных чипов DDR3

Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства главных в мире 2-ух гигабитных чипов памяти DDR3 сделанных с внедрением новейшего 40 нм техпроцесса. По сопоставленью с 50 нм технологией, переход на 40 нм техпроцесс производства обеспечит рост производительности памяти на 60%.

Samsung начинает создание 2-х Гигабитных чипов DDR3

Новейшие чипы завышенной частоты будут применяться в модулях памяти RDIMM объемом 16 Гб, 8 Гб и 4 Гб созданных для серверов, а так же в модулях UDIMM и SODIMM тот или другой применяются в настольных компах и ноутбуках. Новейшие чипы от Samsung поддерживают скорость передачи принесенных до 1,6 Гигабит в секунду и действуют с напряжением 1.35 вольта.

Сообразно исследованиям базара компанией iSuppli, ожидается что 2-х гигабитные чипы DDR3 составят 82% от совместного размера проданной памяти DDR3 DRAM в установках к 2012 году.

Поделиться в соц. сетях

0
Память